IGT60R070D1ATMA4

GANFET N-CH
НОВА часть #:
312-2297726-IGT60R070D1ATMA4
Производитель:
Номер детали производителя:
IGT60R070D1ATMA4
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:

N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Single
ПроизводительInfineon Technologies
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика PG-HSOF-8-3
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
РядCoolGaN™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 31A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (макс.) @ Id 1.6V @ 2.6mA
Полевой транзистор-
Пакет/кейс8-PowerSFN
VGS (макс.)-10V
Тип полевого транзистораN-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)600 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 380 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (макс.) 125W (Tc)
Другие имена448-IGT60R070D1ATMA4TR
448-IGT60R070D1ATMA4CT
448-IGT60R070D1ATMA4DKR
SP005557216

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.