SI6562CDQ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

НОВА часть #:

303-2248821-SI6562CDQ-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI6562CDQ-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-TSSOP
Базовый номер продукта	SI6562
Пакет/кейс	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	6.7A, 6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	23nC @ 10V
Полевой транзистор	Logic Level Gate
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	850pF @ 10V
Мощность - Макс.	1.6W, 1.7W
Другие имена	SI6562CDQT1GE3 SI6562CDQ-T1-GE3DKR SI6562CDQ-T1-GE3CT SI6562CDQ-T1-GE3TR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!