SI9933CDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
НОВА часть #:
303-2247697-SI9933CDY-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI9933CDY-T1-GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | SI9933 | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 4.8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 26nC @ 10V | |
| Полевой транзистор | Logic Level Gate | |
| Тип полевого транзистора | 2 P-Channel (Dual) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 665pF @ 10V | |
| Мощность - Макс. | 3.1W | |
| Другие имена | SI9933CDY-T1-GE3TR SI9933CDYT1GE3 SI9933CDY-T1-GE3DKR SI9933CDY-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- SI9926CDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- LTC4002ES8-8.4#PBFAnalog Devices Inc.
- SI1025X-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIA923AEDJ-T1-GE3Vishay Siliconix
- MMBT3904LT1Gonsemi
- PMEG4010CPA,115Nexperia USA Inc.
- SIP32431DR3-T1GE3Vishay Siliconix
- TSM3443CX6 RFGTaiwan Semiconductor Corporation
- SI3469DV-T1-E3Vishay Siliconix
- SIP32429DN-T1-GE4Vishay Siliconix
- LTC4002ES8-8.4#TRPBFAnalog Devices Inc.
- DMG9933USD-13Diodes Incorporated
- 2N7002NXAKRNexperia USA Inc.









