SI6968BEDQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
НОВА часть #:
303-2247716-SI6968BEDQ-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI6968BEDQ-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 1W Surface Mount 8-TSSOP
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-TSSOP | |
| Базовый номер продукта | SI6968 | |
| Пакет/кейс | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.2A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.6V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 18nC @ 4.5V | |
| Полевой транзистор | Logic Level Gate | |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | - | |
| Мощность - Макс. | 1W | |
| Другие имена | SI6968BEDQ-T1-GE3TR SI6968BEDQT1GE3 SI6968BEDQ-T1-GE3DKR SI6968BEDQ-T1-GE3-ND SI6968BEDQ-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- LM317KCSTexas Instruments
- DMN2019UTS-13Diodes Incorporated
- DMG9926UDM-7Diodes Incorporated
- SI9933CDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- AP9101CK6-ADTRG1Diodes Incorporated
- SI6562CDQ-T1-GE3Vishay Siliconix






