SQ4532AEY-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC
НОВА часть #:
303-2249993-SQ4532AEY-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQ4532AEY-T1_GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
Mosfet Array N and P-Channel 30V 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | SQ4532 | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V | |
| Полевой транзистор | Стандартный | |
| Тип полевого транзистора | N and P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 535pF @ 15V, 528pF @ 15V | |
| Мощность - Макс. | 3.3W | |
| Другие имена | SQ4532AEY-T1_GE3CT SQ4532AEY-T1_GE3-ND SQ4532AEY-T1_GE3TR SQ4532AEY-T1_GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- SH8MA2GZETBRohm Semiconductor
- SQM50P08-25L_GE3Vishay Siliconix
- IPTG007N06NM5ATMA1Infineon Technologies
- FDT86102LZonsemi
- SI4532CDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- SQ4532AEY-T1_BE3Vishay Siliconix
- AUIRF7379QTRInternational Rectifier
- SBR12U100P5Q-13Diodes Incorporated
- SS25FAonsemi
- SQ1539EH-T1_GE3Vishay Siliconix








