SQJ570EP-T1

SQJ570EP-T1_GE3

MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8

НОВА часть #:

303-2251475-SQJ570EP-T1_GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SQJ570EP-T1_GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Mosfet Array N and P-Channel 100V 15A (Tc), 9.5A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8 Dual
Базовый номер продукта	SQJ570
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8 Dual
Ряд	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	15A (Tc), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Полевой транзистор	Стандартный
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Мощность - Макс.	27W
Другие имена	SQJ570EP-T1_GE3CT SQJ570EP-T1_GE3TR SQJ570EP-T1_GE3DKR

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!