SIS590DN-T1-GE3
COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)
НОВА часть #:
303-2248129-SIS590DN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIS590DN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Mosfet Array N and P-Channel 100V 2.7A (Ta), 4A (Tc), 2.3A (Ta), 4A (Tc) 2.5W (Ta), 17.9W (Tc), 2.6W (Ta), 23.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.7A (Ta), 4A (Tc), 2.3A (Ta), 4A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 167mOhm @ 1.5A, 10V, 251mOhm @ 2.3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | - | |
| Полевой транзистор | Стандартный | |
| Тип полевого транзистора | N and P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | - | |
| Мощность - Макс. | 2.5W (Ta), 17.9W (Tc), 2.6W (Ta), 23.1W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SIS590DN-T1-GE3TR 742-SIS590DN-T1-GE3DKR 742-SIS590DN-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI4590DY-T1-GE3Vishay Siliconix
SQJ570EP-T1_GE3Vishay Siliconix