IPD50N06S4L12ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
НОВА часть #:
312-2287726-IPD50N06S4L12ATMA2
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD50N06S4L12ATMA2
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3-11 | |
| Базовый номер продукта | IPD50N06 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 50A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 20µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±16V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2890 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 50W (Tc) | |
| Другие имена | INFINFIPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2DKR 2156-IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2TR SP001028640 IPD50N06S4L12ATMA2CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon Technologies
IPD30N06S2L23ATMA3Infineon Technologies
BQ25713RSNRTexas Instruments
SQJ570EP-T1_GE3Vishay Siliconix
BSS138WH6433XTMA1Infineon Technologies
SMMBT3904LT1Gonsemi
SSM6N15AFU,LFToshiba Semiconductor and Storage
BUK7214-75B,118Nexperia USA Inc.
1N4148W-7-FDiodes Incorporated
IS31FL3239-QFLS4-TRLumissil Microsystems
A4989SLDTR-TAllegro MicroSystems