SI4590DY-T1-GE3

MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL

НОВА часть #:

303-2247465-SI4590DY-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI4590DY-T1-GE3

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Mosfet Array N and P-Channel 100V 3.4A, 2.8A 2.4W, 3.4W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	SI4590
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	3.4A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	11.5nC @ 10V
Полевой транзистор	-
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	360pF @ 50V
Мощность - Макс.	2.4W, 3.4W
Другие имена	SI4590DY-T1-GE3TR SI4590DY-T1-GE3DKR SI4590DY-T1-GE3CT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!