SIZ988DT-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
НОВА часть #:
303-2247584-SIZ988DT-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIZ988DT-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 40A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 40W Surface Mount 8-PowerPair®
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PowerPair® | |
| Базовый номер продукта | SIZ988 | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 40A (Tc), 60A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V | |
| Полевой транзистор | Стандартный | |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V | |
| Мощность - Макс. | 20.2W, 40W | |
| Другие имена | SIZ988DT-T1-GE3CT SIZ988DT-T1-GE3-ND SIZ988DT-T1-GE3TR SIZ988DT-T1-GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- BSS316NH6327XTSA1Infineon Technologies
- TPS22965TDSGRQ1Texas Instruments
- MT25QU256ABA8E12-1SIT TRMicron Technology Inc.
- BSD840NH6327XTSA1Infineon Technologies
- PI7C9X2G312GPBNJEDiodes Incorporated
- SIZ346DT-T1-GE3Vishay Siliconix
- PXN9R0-30QLJNexperia USA Inc.
- TPS22969DNYRTexas Instruments
- SIZ918DT-T1-GE3Vishay Siliconix
- AT24C02D-MAHM-TMicrochip Technology
- MMBT3904-7-FDiodes Incorporated









