BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2281179-BSS316NH6327XTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSS316NH6327XTSA1
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT23 | |
| Базовый номер продукта | BSS316 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.4A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 1.4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 3.7µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.6 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 94 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500mW (Ta) | |
| Другие имена | SP000928948 BSS316N H6327DKR-ND BSS316N H6327 BSS316N H6327-ND BSS316NH6327XTSA1DKR BSS316NH6327XTSA1CT BSS316N H6327TR-ND BSS316NH6327 BSS316N H6327CT-ND BSS316N H6327CT BSS316NH6327XTSA1TR BSS316N H6327DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- BSS308PEH6327XTSA1Infineon Technologies
- BSS223PWH6327XTSA1Infineon Technologies
- BSS314PEH6327XTSA1Infineon Technologies
- BSS214NH6327XTSA1Infineon Technologies
- APT1608CGCKKingbright
- APT1608SGCKingbright
- DMN3110S-7Diodes Incorporated
- BC856B-7-FDiodes Incorporated
- DMN100-7-FDiodes Incorporated






