SIZ918DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

НОВА часть #:

303-2247539-SIZ918DT-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SIZ918DT-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-PowerPair® (6x5)
Базовый номер продукта	SIZ918
Пакет/кейс	8-PowerWDFN
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	16A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	21nC @ 10V
Полевой транзистор	Logic Level Gate
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Напряжение сток-исток (Vdss)	30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	790pF @ 15V
Мощность - Макс.	29W, 100W
Другие имена	SIZ918DT-T1-GE3CT SIZ918DT-T1-GE3TR SIZ918DT-T1-GE3DKR SIZ918DTT1GE3

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!