PXN9R0-30QLJ
PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
НОВА часть #:
312-2271666-PXN9R0-30QLJ
Производитель:
Номер детали производителя:
PXN9R0-30QLJ
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 11.4A (Ta), 41.8A (Tc) 1.9W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount MLPAK33
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | MLPAK33 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 11.4A (Ta), 41.8A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 11.4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 20.7 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 865 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.9W (Ta), 26W (Tc) | |
| Другие имена | 934662548118 1727-PXN9R0-30QLJCT 1727-PXN9R0-30QLJTR 1727-PXN9R0-30QLJDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MT25QU256ABA8E12-1SIT TRMicron Technology Inc.
PXN018-30QLJNexperia USA Inc.
BSD840NH6327XTSA1Infineon Technologies
SIZ988DT-T1-GE3Vishay Siliconix
PI7C9X2G312GPBNJEDiodes Incorporated
RU1J002YNTCLRohm Semiconductor
