ZXMN6A08GTA
MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
НОВА часть #:
312-2287764-ZXMN6A08GTA
Производитель:
Номер детали производителя:
ZXMN6A08GTA
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 3.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223-3 | |
| Базовый номер продукта | ZXMN6A08 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.8A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 4.8A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.8 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 459 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Ta) | |
| Другие имена | ZXMN6A08GDKR ZXMN6A08GTR ZXMN6A08GCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSP318SH6327XTSA1Infineon Technologies
ZXMP6A17GTADiodes Incorporated- ZXMN6A25GTADiodes Incorporated
NVF3055L108T1Gonsemi- STN4NF06LSTMicroelectronics
SIR873DP-T1-GE3Vishay Siliconix- IRLL2705TRPBFInfineon Technologies
- IRLL014NTRPBFInfineon Technologies
DMG1012T-7Diodes Incorporated- DMN6068SE-13Diodes Incorporated
TPS70933DBVRTexas Instruments- IRLL014TRPBFVishay Siliconix
- IRLL014TRPBF-BE3Vishay Siliconix
- ZVN4306GTADiodes Incorporated
