BSP318SH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
НОВА часть #:
312-2285534-BSP318SH6327XTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSP318SH6327XTSA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 2.6A (Tj) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT223-4 | |
| Базовый номер продукта | BSP318 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | SIPMOS® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.6A (Tj) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.6A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 20µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 380 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.8W (Ta) | |
| Другие имена | BSP318SH6327XTSA1DKR BSP318SH6327XTSA1-ND BSP318SH6327XTSA1CT SP001058838 BSP318SH6327XTSA1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NDT3055Lonsemi
DS90LT012AQMFE/NOPBTexas Instruments
RB471ET148Rohm Semiconductor
MUN5212T1Gonsemi
PUMD12,115Nexperia USA Inc.- SBC846BWT1Gonsemi
SZMMSZ15T1Gonsemi- IRLL014NTRPBFInfineon Technologies
- NTF3055L108T1Gonsemi
ZXMN6A08GTADiodes Incorporated
BSP320SH6327XTSA1Infineon Technologies
DMN6140L-13Diodes Incorporated- NDT3055onsemi
