ZXMN6A25GTA

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

НОВА часть #:

312-2280377-ZXMN6A25GTA

Производитель:

Номер детали производителя:

ZXMN6A25GTA

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

N-Channel 60 V 4.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Diodes Incorporated
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-223-3
Базовый номер продукта	ZXMN6A25
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	4.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	20.4 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-261-4, TO-261AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1063 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2W (Ta)
Другие имена	ZXMN6A25GTACT ZXMN6A25GTATR ZXMN6A25GTADKR