IRLL014TRPBF-BE3
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
НОВА часть #:
312-2277587-IRLL014TRPBF-BE3
Производитель:
Номер детали производителя:
IRLL014TRPBF-BE3
Стандартный пакет:
2,500
N-Channel 60 V 2.7A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223 | |
| Базовый номер продукта | IRLL014 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.7A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4V, 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.6A, 5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 8.4 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 400 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) | |
| Другие имена | 742-IRLL014TRPBF-BE3DKR 742-IRLL014TRPBF-BE3TR 742-IRLL014TRPBF-BE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- NDT014Lonsemi
- FDT439Nonsemi
- NDT014onsemi
- MMBT2222A-7-FDiodes Incorporated
- STN3NF06LSTMicroelectronics
- MMSD4148T3Gonsemi
- IRLL014NTRPBFInfineon Technologies
- NTF3055-160T3onsemi
- ZXMN6A08GTADiodes Incorporated
- NTF3055L108T1Gonsemi
- IRLL024NTRPBFInfineon Technologies
- MMBT2907ALT1Gonsemi








