FDT86106LZ
MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
НОВА часть #:
312-2280730-FDT86106LZ
Производитель:
Номер детали производителя:
FDT86106LZ
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 3.2A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223-4 | |
| Базовый номер продукта | FDT86106 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 108mOhm @ 3.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 7 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 315 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.2W (Ta) | |
| Другие имена | FDT86106LZ-ND FDT86106LZTR FDT86106LZCT 2156-FDT86106LZ-OS FDT86106LZDKR ONSONSFDT86106LZ |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMN15H310SE-13Diodes Incorporated
IRFL4310TRPBFInfineon Technologies- STN2NF10STMicroelectronics
BUK98180-100A/CUXNexperia USA Inc.- DMN10H220LE-13Diodes Incorporated
- DMN10H120SE-13Diodes Incorporated
- FDT86102LZonsemi
- IRFM120ATFonsemi
FDT3612onsemi- PHT6NQ10T,135Nexperia USA Inc.
- FDT86113LZonsemi
- ZXMN10A25GTADiodes Incorporated
LDK320AU50RSTMicroelectronics
