DMN10H120SE-13

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

НОВА часть #:

312-2285217-DMN10H120SE-13

Производитель:

Номер детали производителя:

DMN10H120SE-13

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

N-Channel 100 V 3.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Diodes Incorporated
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-223-3
Базовый номер продукта	DMN10
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	3.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-261-4, TO-261AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	549 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.3W (Ta)
Другие имена	DMN10H120SE-13DICT DMN10H120SE-13DIDKR DMN10H120SE-13DITR