PHT6NQ10T,135
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
НОВА часть #:
312-2274240-PHT6NQ10T,135
Производитель:
Номер детали производителя:
PHT6NQ10T,135
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 3A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223 | |
| Базовый номер продукта | PHT6NQ10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 633 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) | |
| Другие имена | PHT6NQ10T135 568-6791-2-ND 568-6791-6-ND 934055876135 PHT6NQ10T,135-ND 568-6791-2 PHT6NQ10T /T3 568-6791-1 PHT6NQ10T /T3-ND 1727-5352-6 568-6791-1-ND 568-6791-6 1727-5352-1 1727-5352-2 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TSM950N10CW RPGTaiwan Semiconductor Corporation
MC78M12BDTRKGonsemi
BUK98180-100A/CUXNexperia USA Inc.
FQT7N10LTFonsemi- IRLL014NTRPBFInfineon Technologies
FDT3612onsemi
BZX84C4V7-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
EEH-ZS1J121UPPanasonic Electronic Components
DMN6068SE-13Diodes Incorporated
CMHZ4687 TR PBFREECentral Semiconductor Corp
MMBZ5225BLT1Gonsemi
SN74HC14QPWRQ1Texas Instruments
