FDT86113LZ
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
НОВА часть #:
312-2264251-FDT86113LZ
Производитель:
Номер детали производителя:
FDT86113LZ
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 3.3A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223-4 | |
| Базовый номер продукта | FDT86113 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.3A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3.3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 315 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.2W (Ta) | |
| Другие имена | FDT86113LZDKR FDT86113LZCT FDT86113LZ-ND FDT86113LZTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDT86102LZonsemi
FDT86106LZonsemi
NX3L2T66GT,115NXP USA Inc.
ESP32-DEVKITC-32EEspressif Systems
ZXMN10A25GTADiodes Incorporated
