SQD25N15-52_GE3
MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Número da pe?a NOVA:
312-2361484-SQD25N15-52_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQD25N15-52_GE3
Embalagem padr?o:
2,000
Ficha técnica:
N-Channel 150 V 25A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252AA | |
| Número do produto base | SQD25 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 25A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 150 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 107W (Tc) | |
| Outros nomes | SQD25N15-52-GE3-ND SQD25N15-52_GE3TR SQD25N15-52_GE3DKR SQD25N15-52-GE3 SQD25N15-52_GE3CT SQD25N15-52_GE3-ND |
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