SQR40N10-25_GE3

MOSFET N-CH 100V 40A TO252 REV
Número da pe?a NOVA:
312-2273460-SQR40N10-25_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQR40N10-25_GE3
Embalagem padr?o:
2,000

N-Channel 100 V 40A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK) Reverse Lead

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-252 (DPAK) Reverse Lead
Número do produto base SQR40
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesTrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3380 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.) 136W (Tc)
Outros nomesSQR40N10-25_GE3-ND
SQR40N10-25-GE3
SQR40N10-25_GE3CT
SQR40N10-25_GE3DKR
SQR40N10-25_GE3TR
SQR40N10-25-GE3-ND

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