NTAT6H406NT4G
MOSFET N-CH 80V 175A ATPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2306515-NTAT6H406NT4G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NTAT6H406NT4G
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 80 V 175A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount DPAK/ATPAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DPAK/ATPAK | |
| Número do produto base | NTAT6 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 175A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8040 pF @ 40 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 90W (Tc) | |
| Outros nomes | 2156-NTAT6H406NT4G-OS ONSONSNTAT6H406NT4G |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- FDD86369onsemi
- FDBL0330N80onsemi
- SIR680ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
- IAUS300N08S5N012TATMA1Infineon Technologies
- IPD034N06N3GATMA1Infineon Technologies
- TK5R1P08QM,RQToshiba Semiconductor and Storage
- NP90N055VUK-E1-AYRenesas Electronics America Inc
- IPI120N06S402AKSA2Infineon Technologies
- TK1R4S04PB,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
- IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon Technologies
- NVD5C434NT4Gonsemi
- NTMFS6B03NT3Gonsemi
- IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon Technologies
- SQJQ112E-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQJ180EP-T1_GE3Vishay Siliconix









