RD3L08BGNTL
MOSFET N-CH 60V 80A TO252
NOVA partie #:
312-2291110-RD3L08BGNTL
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
RD3L08BGNTL
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-252
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-252 | |
| Numéro de produit de base | RD3L08 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3620 pF @ 30 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 119W (Tc) | |
| Autres noms | RD3L08BGNTLDKR RD3L08BGNTLTR RD3L08BGNTLCT |
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