NP60N055VUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
NOVA partie #:
312-2278184-NP60N055VUK-E1-AY
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NP60N055VUK-E1-AY
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 55 V 60A (Tc) 1.2W (Ta), 105W (Tc) Surface Mount TO-252-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-252-3 | |
| Numéro de produit de base | NP60N055 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 253µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 55 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3750 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1.2W (Ta), 105W (Tc) | |
| Autres noms | 559-NP60N055VUK-E1-AYDKR NP60N055VUK-E1-AY-ND 559-NP60N055VUK-E1-AYTR -1161-NP60N055VUK-E1-AYCT 559-NP60N055VUK-E1-AYCT |
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