SQD97N06-6M3L_GE3
MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
NOVA partie #:
312-2288092-SQD97N06-6M3L_GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SQD97N06-6M3L_GE3
Paquet Standard:
2,000
Fiche technique:
N-Channel 60 V 97A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-252AA | |
| Numéro de produit de base | SQD97 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 97A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 125 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6060 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 136W (Tc) | |
| Autres noms | SQD97N06-6M3L_GE3TR SQD97N06-6M3L_GE3-ND SQD97N06-6M3L_GE3CT SQD97N06-6M3L-GE3 SQD97N06-6M3L_GE3DKR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
SQR97N06-6M3L_GE3Vishay Siliconix
TSM60N06CP ROGTaiwan Semiconductor Corporation- NP90N06VDK-E1-AYRenesas Electronics America Inc
IPD034N06N3GATMA1Infineon Technologies
IPD100N06S403ATMA2Infineon Technologies
FDD86569-F085onsemi- TSM120N06LCP ROGTaiwan Semiconductor Corporation
STD110N8F6STMicroelectronics
SQD50034EL_GE3Vishay Siliconix- IPD031N06L3GATMA1Infineon Technologies
TJ50S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
RD3L08BGNTLRohm Semiconductor
