TK4R4P06PL,RQ
MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
NOVA partie #:
312-2287703-TK4R4P06PL,RQ
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
TK4R4P06PL,RQ
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount DPAK
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 175°C | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | DPAK | |
| Numéro de produit de base | TK4R4P06 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | U-MOSIX-H | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 58A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 29A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 48.2 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3280 pF @ 30 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 87W (Tc) | |
| Autres noms | TK4R4P06PLRQ(S2 TK4R4P06PLRQ TK4R4P06PL,RQTR TK4R4P06PLRQCT TK4R4P06PLRQDKR TK4R4P06PL,RQ(S2 TK4R4P06PLRQTR |
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