STD110N8F6

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MOSFET N-CH 80V 80A DPAK

NOVA partie #:

312-2287882-STD110N8F6

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

STD110N8F6

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

N-Channel 80 V 80A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount DPAK

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	STMicroelectronics
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	DPAK
Numéro de produit de base	STD110
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	STripFET™ F6
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	80 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9130 pF @ 40 V
Dissipation de puissance (maximale)	167W (Tc)
Autres noms	497-16032-6 497-16032-1 497-16032-2