IPDD60R190G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
Número de pieza NOVA:
312-2280499-IPDD60R190G7XTMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPDD60R190G7XTMA1
Embalaje estándar:
1,700
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 76W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-HDSOP-10-1 | |
| Número de producto base | IPDD60 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ G7 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 13A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 4.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 210µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 10-PowerSOP Module | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 718 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 76W (Tc) | |
| Otros nombres | IPDD60R190G7XTMA1DKR SP001632844 IPDD60R190G7XTMA1TR IPDD60R190G7XTMA1CT |
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