IPDD60R150G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 16A HDSOP-10
Número de pieza NOVA:
312-2277612-IPDD60R150G7XTMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPDD60R150G7XTMA1
Embalaje estándar:
1,700
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-HDSOP-10-1 | |
| Número de producto base | IPDD60 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ G7 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 16A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 5.3A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 260µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 10-PowerSOP Module | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 902 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 95W (Tc) | |
| Otros nombres | 2156-IPDD60R150G7XTMA1 IPDD60R150G7XTMA1TR IPDD60R150G7XTMA1CT IFEINFIPDD60R150G7XTMA1 IPDD60R150G7XTMA1DKR SP001632838 |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IPDD60R190G7XTMA1Infineon Technologies- IPDD60R080G7XTMA1Infineon Technologies