IPDD60R050G7XTMA1

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-HDSOP-10-1
Número de producto base	IPDD60
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	CoolMOS™ G7
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	47A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	50mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 800µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	10-PowerSOP Module
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2670 pF @ 400 V
Disipación de energía (máx.)	278W (Tc)
Otros nombres	IPDD60R050G7XTMA1DKR IPDD60R050G7XTMA1TR INFINFIPDD60R050G7XTMA1 IPDD60R050G7XTMA1CT SP001632818 2156-IPDD60R050G7XTMA1

In stock Por favor contáctenos

?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

?Encontramos otros productos que te pueden gustar!