IPDD60R080G7XTMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-HDSOP-10-1
Número de producto base	IPDD60
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	CoolMOS™ G7
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	29A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	80mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 490µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	10-PowerSOP Module
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1640 pF @ 400 V
Disipación de energía (máx.)	174W (Tc)
Otros nombres	IPDD60R080G7XTMA1CT IPDD60R080G7XTMA1TR IFEINFIPDD60R080G7XTMA1 SP001632824 IPDD60R080G7XTMA1DKR 2156-IPDD60R080G7XTMA1

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