IPC100N04S52R8ATMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-34
Número de producto base	IPC100
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.4V @ 30µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2600 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	75W (Tc)
Otros nombres	IPC100N04S52R8ATMA1-ND 2156-IPC100N04S52R8ATMA1 INFINFIPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1CT IPC100N04S52R8ATMA1TR IPC100N04S52R8ATMA1DKR SP001418102

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