IPC100N04S5L1R5ATMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-34
Número de producto base	IPC100
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	1.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2V @ 60µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	95 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±16V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	5340 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	115W (Tc)
Otros nombres	IPC100N04S5L1R5ATMA1CT IPC100N04S5L1R5ATMA1TR 2156-IPC100N04S5L1R5ATMA1 SP001257556 IPC100N04S5L1R5ATMA1DKR ROCINFIPC100N04S5L1R5ATMA1

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