IPC50N04S55R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Número de pieza NOVA:
312-2282384-IPC50N04S55R8ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPC50N04S55R8ATMA1
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8-33 | |
| Número de producto base | IPC50N04 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.4V @ 13µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1090 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 42W (Tc) | |
| Otros nombres | IPC50N04S55R8ATMA1CT 2156-IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1TR IPC50N04S55R8ATMA1DKR SP001418130 INFINFIPC50N04S55R8ATMA1 |
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