IPC100N04S51R2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Número de pieza NOVA:
312-2282477-IPC100N04S51R2ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPC100N04S51R2ATMA1
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8-34 | |
| Número de producto base | IPC100 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.4V @ 90µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 131 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7650 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 150W (Tc) | |
| Otros nombres | SP001262620 IPC100N04S51R2ATMA1DKR IPC100N04S51R2ATMA1TR IPC100N04S51R2ATMA1CT |
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