TPH2R306NH1,LQ
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Número de pieza NOVA:
312-2296259-TPH2R306NH1,LQ
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TPH2R306NH1,LQ
Embalaje estándar:
5,000
N-Channel 60 V 136A (Tc) 800mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOP Advance (5x5.75) | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 136A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6100 pF @ 30 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 800mW (Ta), 170W (Tc) | |
| Otros nombres | 264-TPH2R306NH1LQDKR TPH2R306NH1,LQ(M 264-TPH2R306NH1,LQTR 264-TPH2R306NH1LQCT |
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