TPH2R408QM,L1Q
MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Número de pieza NOVA:
312-2279424-TPH2R408QM,L1Q
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TPH2R408QM,L1Q
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOP Advance (5x5) | |
| Número de producto base | TPH2R408 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSX-H | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.43mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 87 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8300 pF @ 40 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3W (Ta), 210W (Tc) | |
| Otros nombres | 264-TPH2R408QML1QTR 264-TPH2R408QML1QCT 264-TPH2R408QML1QDKR TPH2R408QM,L1Q(M |
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