SIR180DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK
Número de pieza NOVA:
312-2264244-SIR180DP-T1-RE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SIR180DP-T1-RE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 60 V 32.4A (Ta), 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 | |
| Número de producto base | SIR180 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® Gen IV | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 32.4A (Ta), 60A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.05mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.6V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 87 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4030 pF @ 30 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) | |
| Otros nombres | SIR180DP-T1-RE3DKR SIR180DP-T1-RE3TR SIR180DP-RE3 SIR180DP-T1-RE3CT |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and Storage
SIDR626DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SIR626DP-T1-RE3Vishay Siliconix
NTMTS001N06CLTXGonsemi
SIJ188DP-T1-GE3Vishay Siliconix- SIJ186DP-T1-GE3Vishay Siliconix
- SQJA00EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SIR186LDP-T1-RE3Vishay Siliconix
AONS66612Alpha & Omega Semiconductor Inc.
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay Siliconix
SIR626ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
FDMS86550ET60onsemi- SIR670DP-T1-GE3Vishay Siliconix