BSZ12DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Número de pieza NOVA:
312-2280297-BSZ12DN20NS3GATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BSZ12DN20NS3GATMA1
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 200 V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TSDSON-8 | |
| Número de producto base | BSZ12DN20 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 11.3A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 5.7A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 25µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 680 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 50W (Tc) | |
| Otros nombres | 2156-BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1DKR BSZ12DN20NS3GATMA1TR BSZ12DN20NS3GCT IFEINFBSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GDKR SP000781784 BSZ12DN20NS3GATMA1CT BSZ12DN20NS3G BSZ12DN20NS3GTR BSZ12DN20NS3 G BSZ12DN20NS3GTR-ND BSZ12DN20NS3GCT-ND BSZ12DN20NS3GDKR-ND |
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