BSZ22DN20NS3GATMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8
Número de producto base	BSZ22DN20
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	225mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 13µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	5.6 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	430 pF @ 100 V
Disipación de energía (máx.)	34W (Tc)
Otros nombres	BSZ22DN20NS3G BSZ22DN20NS3GTR 2156-BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3GDKR-ND BSZ22DN20NS3GATMA1DKR SP000781794 BSZ22DN20NS3GDKR BSZ22DN20NS3GCT-ND BSZ22DN20NS3GTR-ND BSZ22DN20NS3GATMA1TR IFEINFBSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3GCT BSZ22DN20NS3GATMA1CT BSZ22DN20NS3 G

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