BSC16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Número de pieza NOVA:
312-2282044-BSC16DN25NS3GATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BSC16DN25NS3GATMA1
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 250 V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8-5 | |
| Número de producto base | BSC16DN25 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 10.9A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 5.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 32µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 11.4 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 250 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 920 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 62.5W (Tc) | |
| Otros nombres | BSC16DN25NS3GTR-ND BSC16DN25NS3GDKR BSC16DN25NS3GATMA1DKR BSC16DN25NS3GATMA1TR BSC16DN25NS3GCT BSC16DN25NS3GTR SP000781782 BSC16DN25NS3GATMA1CT BSC16DN25NS3GCT-ND BSC16DN25NS3G BSC16DN25NS3 G BSC16DN25NS3GDKR-ND |
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