BSZ900N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Número de pieza NOVA:
312-2281573-BSZ900N20NS3GATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BSZ900N20NS3GATMA1
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TSDSON-8 | |
| Número de producto base | BSZ900 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 15.2A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 7.6A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 30µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 11.6 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 920 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 62.5W (Tc) | |
| Otros nombres | BSZ900N20NS3GTR-ND BSZ900N20NS3GATMA1CT BSZ900N20NS3GCT BSZ900N20NS3G BSZ900N20NS3 G 2156-BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GTR BSZ900N20NS3GDKR-ND BSZ900N20NS3GATMA1DKR BSZ900N20NS3GDKR BSZ900N20NS3GATMA1TR SP000781806 BSZ900N20NS3GCT-ND INFINFBSZ900N20NS3GATMA1 |
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