SCTW90N65G2V

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SICFET N-CH 650V 90A HIP247

Número de pieza NOVA:

312-2289969-SCTW90N65G2V

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SCTW90N65G2V

Embalaje estándar:

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 650 V 90A (Tc) 390W (Tc) Through Hole HiP247™

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	STMicroelectronics
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	HiP247™
Número de producto base	SCTW90
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	25mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	157 nC @ 18 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-247-3
Vgs (Máx.)	+22V, -10V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3300 pF @ 400 V
Disipación de energía (máx.)	390W (Tc)
Otros nombres	497-18351