SCTW100N65G2AG
SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Número de pieza NOVA:
312-2283943-SCTW100N65G2AG
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SCTW100N65G2AG
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 650 V 100A (Tc) 420W (Tc) Through Hole HiP247™
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | HiP247™ | |
| Número de producto base | SCTW100 | |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 50A, 18V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 5mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 162 nC @ 18 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | +22V, -10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3315 pF @ 520 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 420W (Tc) | |
| Otros nombres | 497-SCTW100N65G2AG |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
SCT3022KLHRC11Rohm Semiconductor
SCTW70N120G2VSTMicroelectronics
MSC015SMA070BMicrochip Technology
AIMW120R045M1XKSA1Infineon Technologies
SCTWA90N65G2V-4STMicroelectronics
NVHL025N65S3onsemi
STW68N65DM6-4AGSTMicroelectronics
SCTH100N65G2-7AGSTMicroelectronics
STTH60RQ06WYSTMicroelectronics- SCT3030ALHRC11Rohm Semiconductor
- SCT3022ALHRC11Rohm Semiconductor