SCT50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Número de pieza NOVA:
312-2273525-SCT50N120
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SCT50N120
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | HiP247™ | |
| Número de producto base | SCT50 | |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 65A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 40A, 20V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 122 nC @ 20 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | +25V, -10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1900 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 318W (Tc) | |
| Otros nombres | -1138-SCT50N120 497-16598-5 |
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