SCTWA90N65G2V

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SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Número de pieza NOVA:

312-2297758-SCTWA90N65G2V

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SCTWA90N65G2V

Embalaje estándar:

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 650 V 119A (Tc) 565W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	STMicroelectronics
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247 Long Leads
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	119A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	24mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	157 nC @ 18 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-247-3
Vgs (Máx.)	+22V, -10V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3380 pF @ 400 V
Disipación de energía (máx.)	565W (Tc)
Otros nombres	497-SCTWA90N65G2V