RD3L08BGNTL
MOSFET N-CH 60V 80A TO252
NOVA-Teilenummer:
312-2291110-RD3L08BGNTL
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
RD3L08BGNTL
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-252
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-252 | |
| Basisproduktnummer | RD3L08 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 80A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3620 pF @ 30 V | |
| Verlustleistung (max.) | 119W (Tc) | |
| Andere Namen | RD3L08BGNTLDKR RD3L08BGNTLTR RD3L08BGNTLCT |
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