TK4R4P06PL,RQ
MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2287703-TK4R4P06PL,RQ
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TK4R4P06PL,RQ
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount DPAK
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 175°C | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | DPAK | |
| Basisproduktnummer | TK4R4P06 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSIX-H | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 58A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 29A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 48.2 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3280 pF @ 30 V | |
| Verlustleistung (max.) | 87W (Tc) | |
| Andere Namen | TK4R4P06PLRQ(S2 TK4R4P06PLRQ TK4R4P06PL,RQTR TK4R4P06PLRQCT TK4R4P06PLRQDKR TK4R4P06PL,RQ(S2 TK4R4P06PLRQTR |
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